拉普拉斯(无锡)半导体申请太阳能电池相关专利, 实现对太阳能电池的膜层局部去除效果

金融界2025年3月27日消息，国家知识产权局信息显示，拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司申请一项名为“太阳能电池的激光加工方法和制备方法、激光装置”的专利，公开号CN119681444A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，一种太阳能电池的激光加工方法，包括：提供硅基底，硅基底的表面设置有待加工膜层，待加工膜层包括硅玻璃层和介电层中的至少一个；采用激光照射待加工膜层的局部区域，以去除待加工膜层的局部区域，激光的光斑的形状为条形，光斑的长宽比为2:1及以上，长度≥200μm，激光为脉冲激光，脉宽为100fs~10ps，单脉冲能量≥100μJ，波长为300~1200nm。本申请通过一定长宽比的条形的激光光斑配置，实现对太阳能电池的膜层局部去除的效果，相比于现有的大尺寸的方形光斑的激光开膜工艺，具有单脉冲能量要求低、工艺均匀性好、稳定性高、产能提升空间大的优点。本申请还提供太阳能电池的制备方法和一种激光装置。

天眼查资料显示，拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本36000万人民币，实缴资本36000万人民币。通过天眼查大数据分析，拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司参与招投标项目9次，专利信息283条，此外企业还拥有行政许可53个。

本文源自：金融界